Infineon Technologies IPA65R650CE دیتاشیت

Infineon Technologies IPA65R650CE

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت Infineon Technologies IPA65R650CE
حجم فایل 73.563 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 16

دانلود دیتاشیت Infineon Technologies IPA65R650CE

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

IPA65R650CE 16 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-Channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPA65R650CE
  • Power Dissipation (Pd): 28W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Continuous Drain Current (Id): 7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@210uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 650mΩ@10V,2.1A
  • Package: TO-220F